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            首頁 中科院3區 期刊介紹(非官網)
            Microelectronics Journal雜志 加入收藏

            Gold OA文章占比:2.61%

            OA被引用占比:0.0096...

            開源占比:0.0103

            研究類文章占比:99.32%

            Microelectronics Journal

            國際標準簡稱:MICROELECTRON J

            人氣 4457

            《Microelectronics Journal》是一本專注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領域的English學術期刊,創刊于1967年,由Elsevier出版商出版,出版周期Monthly。該刊發文范圍涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等領域,旨在及時、準確、全面地報道國內外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領域的科學研究等工作中取得的經驗、科研成果、技術革新、學術動態等。該刊已被SCIE數據庫收錄,在中科院最新升級版分區表中,該刊分區信息為大類學科工程技術3區,2023年影響因子為1.9。

            • 3區

              中科院分區
            • Q3

              JCR分區
            • SCIE

              期刊收錄
            • 是否預警
            ISSN:0026-2692
            出版地區:ENGLAND
            出版周期:Monthly
            E-ISSN:1879-2391
            創刊時間:1967
            出版語言:English
            是否OA開放訪問:未開放
            研究方向:工程技術-工程:電子與電氣
            影響因子:1.9
            年發文量:293
            出版商:Elsevier
            平均審稿速度: 約3.0個月

            Microelectronics Journal期刊簡介

            Published since 1969, the Microelectronics Journal is an international forum for the dissemination of research and applications of microelectronic systems, circuits, and emerging technologies. Papers published in the Microelectronics Journal have undergone peer review to ensure originality, relevance, and timeliness. The journal thus provides a worldwide, regular, and comprehensive update on microelectronic circuits and systems.

            The Microelectronics Journal invites papers describing significant research and applications in all of the areas listed below. Comprehensive review/survey papers covering recent developments will also be considered. The Microelectronics Journal covers circuits and systems. This topic includes but is not limited to: Analog, digital, mixed, and RF circuits and related design methodologies; Logic, architectural, and system level synthesis; Testing, design for testability, built-in self-test; Area, power, and thermal analysis and design; Mixed-domain simulation and design; Embedded systems; Non-von Neumann computing and related technologies and circuits; Design and test of high complexity systems integration; SoC, NoC, SIP, and NIP design and test; 3-D integration design and analysis; Emerging device technologies and circuits, such as FinFETs, SETs, spintronics, SFQ, MTJ, etc.

            Application aspects such as signal and image processing including circuits for cryptography, sensors, and actuators including sensor networks, reliability and quality issues, and economic models are also welcome.

            Microelectronics Journal中科院分區

            中科院分區2023年12月升級版

            大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
            工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區 4區

            中科院分區2022年12月升級版

            大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
            工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區 4區

            中科院分區2021年12月舊的升級版

            大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
            工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 4區 4區

            中科院分區2021年12月基礎版

            大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
            工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 4區 4區

            中科院分區2021年12月升級版

            大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
            工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 4區 4區

            中科院分區2020年12月舊的升級版

            大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
            工程技術 3區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 4區 4區

            中科院分區:中科院分區是SCI期刊分區的一種,是由中國科學院國家科學圖書館制定出來的分區。主要有兩個版本,即基礎版和升級版。2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區表推出了升級版,實現了基礎版和升級版的并存過渡;升級版是對基礎版的延續和改進,將期刊由基礎版的13個學科擴展至18個,科研評價將更加明確。

            JCR分區(2023-2024年最新版)

            按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
            學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 211 / 352
            40.2%
            學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 110 / 140
            21.8%
            按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
            學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 238 / 354
            32.91%
            學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 94 / 140
            33.21%

            JCR分區:JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身為湯森路透)開發。JCR沒有設置大類,只將期刊分為176個具體學科,也就是中科院分區中的小類學科。基于不同學科的當年影響因子高低進行排序,將期刊的數量均勻分為四個部分,Q1區代表學科分類中影響因子排名前25%的期刊,以此類推,Q2區為前25%-50%期刊,Q3區為前50%-75%期刊,Q4區為75%以后期刊。

            CiteScore 指數(2024年最新版)

            • CiteScore:4
            • SJR:0.39
            • SNIP:0.854

            CiteScore排名:

            學科類別 分區 排名 百分位
            大類:Physics and Astronomy 小類:Condensed Matter Physics Q2 181 / 434
            58%
            大類:Physics and Astronomy 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 332 / 797
            58%
            大類:Physics and Astronomy 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 101 / 224
            55%
            大類:Physics and Astronomy 小類:Surfaces, Coatings and Films Q2 61 / 132
            54%
            大類:Physics and Astronomy 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 133 / 284
            53%

            CiteScore值計算方式:例如2024公布的CiteScore是將統計在 2020年-2023年間年所發表文章的引用次數除以在 2020年-2023年間所發表的發文總數。

            CiteScore數據來源:是由全球著名學術出版商Elsevier(愛思唯爾)基于其Scopus數據庫推出的期刊評價指標。CiteScore指數以四年區間為基準來計算每本期刊的平均被引用次數,并提供期刊領域排名、期刊分區的相關信息,它的作用是測量期刊的篇均影響力。

            其它數據分析對比

            近年中科院分區趨勢圖

            近年IF值(影響因子)趨勢圖

            影響因子:是美國科學信息研究所(ISI)的期刊引證報告(JCR)中的一項數據。指的是某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。自1975年以來,每年定期發布于“期刊引證報告”(JCR)。

            發文統計(統計區間:2023年-2024年)

            文章引用名稱 引用次數
            Programmable multi-direction... 13
            Performance improvement of n... 12
            A survey of single and multi... 12
            Classical and fractional-ord... 9
            Wearable technologies for ha... 9
            Electronically reconfigurabl... 8
            Fractional-order band-pass f... 7
            Entanglement and physical at... 7
            Multi stage OTA design: From... 7
            Memristor-CNTFET based terna... 7
            被引用期刊名稱 數量
            MICROELECTRON J 225
            AEU-INT J ELECTRON C 129
            ANALOG INTEGR CIRC S 105
            J CIRCUIT SYST COMP 85
            IEEE ACCESS 72
            CIRC SYST SIGNAL PR 53
            INT J THEOR PHYS 44
            IET CIRC DEVICE SYST 43
            SENSORS-BASEL 43
            INTEGRATION 41
            引用期刊名稱 數量
            IEEE J SOLID-ST CIRC 377
            MICROELECTRON J 225
            IEEE T CIRCUITS-I 195
            IEEE T ELECTRON DEV 156
            IEEE T CIRCUITS-II 127
            AEU-INT J ELECTRON C 117
            IEEE T VLSI SYST 107
            ELECTRON LETT 95
            IEEE T MICROW THEORY 88
            IEEE ELECTR DEVICE L 80

            投稿注意事項

            文章要求:

            1、建議稿件控制10頁以上,文章撰寫語言為英語;(單欄格式,單倍行距,內容10號字體,文稿類型包含:原創研究(Original Research)、案例報告(Case Report)、文獻綜述(Literature Review)等;文件格式包含word、PDF、LaTeX等。

            2、稿件重復率控制10%以內,論文務必保證原創性、圖標、公式、引文等要素齊備,保證附屬資料的完整。已發表或引用過度的文章將不會被出版和檢索,禁止一稿多投,拒絕抄襲、機械性的稿件。

            3、稿件必須有較好的英語表達水平,有圖,有表,有公式,有數據或設計,有算法(方案,模型),實驗,仿真等;參考文獻控制25條以上,參考文獻引用一半以上控制在近5年以內。

            圖片和圖表要求:

            1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ,TIFF格式 使用LZW壓縮。

            2、文件大小最大不超過20MB,不要以單個文件的形式上傳數據。

            3、彩色圖片的分辨率≥300dpi;黑白圖片的分辨率在≥500dpi;line art圖片類型的分辨率≥1000dpi;色彩模式建議采用RGB,除非期刊注明要CMYK。

            4、線條不要細于0.25pt,也不能太粗,超過1.5pt,過細或過粗都影響美觀。

            5、表格一般和manuscrript放置在一個word文檔里部分期刊 需要單獨上傳表格。

            作者信息:

            1、包括作者姓名、最高學位,作者單位(精確到部門),郵箱,地址,郵編,關鍵詞,內容,總結,項目基金,參考文獻,作者相片+簡介(一定要確保作者信息準確無誤,提交稿件之后這部分不能再作改動)。

            更多征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站專注期刊咨詢服務十年,確保SCI檢索,稿件信息安全保密,合乎學術規范不成功不收費,詳情請咨詢客服

            雜志社聯系方式

            ELSEVIER SCI LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OXON, OX5 1GB

            免責聲明

            若用戶需要出版服務,請聯系出版商:ELSEVIER SCI LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OXON, OX5 1GB。

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