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            首頁(yè) 中科院3區(qū) 期刊介紹(非官網(wǎng))
            Ieee Transactions On Device And Materials Reliability雜志 加入收藏

            Gold OA文章占比:24.52%

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            開源占比:0.057

            研究類文章占比:97.22%

            Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

            國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)稱:IEEE T DEVICE MAT RE

            人氣 1791

            《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》是一本專注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的English學(xué)術(shù)期刊,創(chuàng)刊于2001年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,出版周期Quarterly。該刊發(fā)文范圍涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等領(lǐng)域,旨在及時(shí)、準(zhǔn)確、全面地報(bào)道國(guó)內(nèi)外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領(lǐng)域的科學(xué)研究等工作中取得的經(jīng)驗(yàn)、科研成果、技術(shù)革新、學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài)等。該刊已被SCIE數(shù)據(jù)庫(kù)收錄,在中科院最新升級(jí)版分區(qū)表中,該刊分區(qū)信息為大類學(xué)科工程技術(shù)3區(qū),2023年影響因子為2.5。

            • 3區(qū)

              中科院分區(qū)
            • Q2

              JCR分區(qū)
            • SCIE

              期刊收錄
            • 是否預(yù)警
            ISSN:1530-4388
            出版地區(qū):UNITED STATES
            出版周期:Quarterly
            E-ISSN:1558-2574
            創(chuàng)刊時(shí)間:2001
            出版語(yǔ)言:English
            是否OA開放訪問(wèn):未開放
            研究方向:工程技術(shù)-工程:電子與電氣
            影響因子:2.5
            年發(fā)文量:72
            出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
            平均審稿速度: 較慢,6-12周

            Ieee Transactions On Device And Materials Reliability期刊簡(jiǎn)介

            The scope of the publication includes, but is not limited to Reliability of: Devices, Materials, Processes, Interfaces, Integrated Microsystems (including MEMS & Sensors), Transistors, Technology (CMOS, BiCMOS, etc.), Integrated Circuits (IC, SSI, MSI, LSI, ULSI, ELSI, etc.), Thin Film Transistor Applications. The measurement and understanding of the reliability of such entities at each phase, from the concept stage through research and development and into manufacturing scale-up, provides the overall database on the reliability of the devices, materials, processes, package and other necessities for the successful introduction of a product to market. This reliability database is the foundation for a quality product, which meets customer expectation. A product so developed has high reliability. High quality will be achieved because product weaknesses will have been found (root cause analysis) and designed out of the final product. This process of ever increasing reliability and quality will result in a superior product. In the end, reliability and quality are not one thing; but in a sense everything, which can be or has to be done to guarantee that the product successfully performs in the field under customer conditions. Our goal is to capture these advances. An additional objective is to focus cross fertilized communication in the state of the art of reliability of electronic materials and devices and provide fundamental understanding of basic phenomena that affect reliability. In addition, the publication is a forum for interdisciplinary studies on reliability. An overall goal is to provide leading edge/state of the art information, which is critically relevant to the creation of reliable products.

            Ieee Transactions On Device And Materials Reliability中科院分區(qū)

            中科院分區(qū)2023年12月升級(jí)版

            大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
            工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

            中科院分區(qū)2022年12月升級(jí)版

            大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
            工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

            中科院分區(qū)2021年12月舊的升級(jí)版

            大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
            工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

            中科院分區(qū)2021年12月基礎(chǔ)版

            大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
            工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū)

            中科院分區(qū)2021年12月升級(jí)版

            大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
            工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū)

            中科院分區(qū)2020年12月舊的升級(jí)版

            大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
            工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 3區(qū) 4區(qū)

            中科院分區(qū):中科院分區(qū)是SCI期刊分區(qū)的一種,是由中國(guó)科學(xué)院國(guó)家科學(xué)圖書館制定出來(lái)的分區(qū)。主要有兩個(gè)版本,即基礎(chǔ)版和升級(jí)版。2019年中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心期刊分區(qū)表推出了升級(jí)版,實(shí)現(xiàn)了基礎(chǔ)版和升級(jí)版的并存過(guò)渡;升級(jí)版是對(duì)基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn),將期刊由基礎(chǔ)版的13個(gè)學(xué)科擴(kuò)展至18個(gè),科研評(píng)價(jià)將更加明確。

            JCR分區(qū)(2023-2024年最新版)

            按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
            學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352
            53.3%
            學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179
            51.7%
            按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
            學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354
            47.6%
            學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179
            44.97%

            JCR分區(qū):JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身為湯森路透)開發(fā)。JCR沒有設(shè)置大類,只將期刊分為176個(gè)具體學(xué)科,也就是中科院分區(qū)中的小類學(xué)科。基于不同學(xué)科的當(dāng)年影響因子高低進(jìn)行排序,將期刊的數(shù)量均勻分為四個(gè)部分,Q1區(qū)代表學(xué)科分類中影響因子排名前25%的期刊,以此類推,Q2區(qū)為前25%-50%期刊,Q3區(qū)為前50%-75%期刊,Q4區(qū)為75%以后期刊。

            CiteScore 指數(shù)(2024年最新版)

            • CiteScore:4.8
            • SJR:0.436
            • SNIP:1.148

            CiteScore排名:

            學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
            大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207
            68%
            大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797
            65%
            大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284
            63%

            CiteScore值計(jì)算方式:例如2024公布的CiteScore是將統(tǒng)計(jì)在 2020年-2023年間年所發(fā)表文章的引用次數(shù)除以在 2020年-2023年間所發(fā)表的發(fā)文總數(shù)。

            CiteScore數(shù)據(jù)來(lái)源:是由全球著名學(xué)術(shù)出版商Elsevier(愛思唯爾)基于其Scopus數(shù)據(jù)庫(kù)推出的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)。CiteScore指數(shù)以四年區(qū)間為基準(zhǔn)來(lái)計(jì)算每本期刊的平均被引用次數(shù),并提供期刊領(lǐng)域排名、期刊分區(qū)的相關(guān)信息,它的作用是測(cè)量期刊的篇均影響力。

            其它數(shù)據(jù)分析對(duì)比

            近年中科院分區(qū)趨勢(shì)圖

            近年IF值(影響因子)趨勢(shì)圖

            影響因子:是美國(guó)科學(xué)信息研究所(ISI)的期刊引證報(bào)告(JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)。指的是某一期刊的文章在特定年份或時(shí)期被引用的頻率,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)。自1975年以來(lái),每年定期發(fā)布于“期刊引證報(bào)告”(JCR)。

            發(fā)文統(tǒng)計(jì)(統(tǒng)計(jì)區(qū)間:2023年-2024年)

            機(jī)構(gòu)名稱 發(fā)文量
            INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLO... 23
            IMEC 15
            CENTRE NATIONAL DE LA RECHER... 14
            STMICROELECTRONICS 10
            TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN 9
            NATIONAL TSING HUA UNIVERSIT... 8
            NATIONAL YANG MING CHIAO TUN... 8
            COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOB... 7
            GLOBALFOUNDRIES 7
            CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 6
            國(guó)家/地區(qū) 發(fā)文量
            USA 52
            CHINA MAINLAND 51
            India 50
            Taiwan 35
            France 20
            Italy 18
            Belgium 15
            Austria 14
            Japan 13
            GERMANY (FED REP GER) 12
            文章引用名稱 引用次數(shù)
            A First-Principles Study of ... 23
            Understanding BTI in SiC MOS... 9
            Comparative Thermal and Stru... 9
            Output-Power Enhancement for... 8
            Rapid Solder Interconnect Fa... 7
            Study of Long Term Drift of ... 7
            Impacts of Process and Tempe... 6
            Comparative Study of Reliabi... 6
            A Compact and Self-Isolated ... 6
            A Review on Hot-Carrier-Indu... 6
            被引用期刊名稱 數(shù)量
            IEEE T ELECTRON DEV 127
            IEEE T DEVICE MAT RE 93
            MICROELECTRON RELIAB 88
            IEEE ACCESS 47
            IEEE T NUCL SCI 37
            IEEE ELECTR DEVICE L 36
            IEICE ELECTRON EXPR 35
            IEEE T POWER ELECTR 31
            J MATER SCI-MATER EL 31
            ELECTRONICS-SWITZ 30
            引用期刊名稱 數(shù)量
            IEEE T ELECTRON DEV 167
            IEEE T NUCL SCI 116
            MICROELECTRON RELIAB 100
            IEEE T DEVICE MAT RE 93
            IEEE ELECTR DEVICE L 69
            APPL PHYS LETT 59
            J APPL PHYS 44
            IEEE T COMP PACK MAN 24
            IEEE J SOLID-ST CIRC 23
            IEEE T POWER ELECTR 23

            投稿注意事項(xiàng)

            文章要求:

            1、建議稿件控制10頁(yè)以上,文章撰寫語(yǔ)言為英語(yǔ);(單欄格式,單倍行距,內(nèi)容10號(hào)字體,文稿類型包含:原創(chuàng)研究(Original Research)、案例報(bào)告(Case Report)、文獻(xiàn)綜述(Literature Review)等;文件格式包含word、PDF、LaTeX等。

            2、稿件重復(fù)率控制10%以內(nèi),論文務(wù)必保證原創(chuàng)性、圖標(biāo)、公式、引文等要素齊備,保證附屬資料的完整。已發(fā)表或引用過(guò)度的文章將不會(huì)被出版和檢索,禁止一稿多投,拒絕抄襲、機(jī)械性的稿件。

            3、稿件必須有較好的英語(yǔ)表達(dá)水平,有圖,有表,有公式,有數(shù)據(jù)或設(shè)計(jì),有算法(方案,模型),實(shí)驗(yàn),仿真等;參考文獻(xiàn)控制25條以上,參考文獻(xiàn)引用一半以上控制在近5年以內(nèi)。

            圖片和圖表要求:

            1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ,TIFF格式 使用LZW壓縮。

            2、文件大小最大不超過(guò)20MB,不要以單個(gè)文件的形式上傳數(shù)據(jù)。

            3、彩色圖片的分辨率≥300dpi;黑白圖片的分辨率在≥500dpi;line art圖片類型的分辨率≥1000dpi;色彩模式建議采用RGB,除非期刊注明要CMYK。

            4、線條不要細(xì)于0.25pt,也不能太粗,超過(guò)1.5pt,過(guò)細(xì)或過(guò)粗都影響美觀。

            5、表格一般和manuscrript放置在一個(gè)word文檔里部分期刊 需要單獨(dú)上傳表格。

            作者信息:

            1、包括作者姓名、最高學(xué)位,作者單位(精確到部門),郵箱,地址,郵編,關(guān)鍵詞,內(nèi)容,總結(jié),項(xiàng)目基金,參考文獻(xiàn),作者相片+簡(jiǎn)介(一定要確保作者信息準(zhǔn)確無(wú)誤,提交稿件之后這部分不能再作改動(dòng))。

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