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            首頁 中科院4區 期刊介紹(非官網)
            Microelectronics Reliability雜志 加入收藏

            Gold OA文章占比:14.36%

            OA被引用占比:0.0216...

            開源占比:0.0623

            研究類文章占比:98.39%

            Microelectronics Reliability

            國際標準簡稱:MICROELECTRON RELIAB

            人氣 1582

            《Microelectronics Reliability》是一本專注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領域的English學術期刊,創刊于1964年,由Elsevier Ltd出版商出版,出版周期Monthly。該刊發文范圍涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等領域,旨在及時、準確、全面地報道國內外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領域的科學研究等工作中取得的經驗、科研成果、技術革新、學術動態等。該刊已被SCIE數據庫收錄,在中科院最新升級版分區表中,該刊分區信息為大類學科工程技術4區,2023年影響因子為1.6。

            • 4區

              中科院分區
            • Q3

              JCR分區
            • SCIE

              期刊收錄
            • 是否預警
            ISSN:0026-2714
            出版地區:ENGLAND
            出版周期:Monthly
            E-ISSN:1872-941X
            創刊時間:1964
            出版語言:English
            是否OA開放訪問:未開放
            研究方向:工程技術-工程:電子與電氣
            影響因子:1.6
            年發文量:310
            出版商:Elsevier Ltd
            平均審稿速度: 較快,2-4周 約8.3周

            Microelectronics Reliability期刊簡介

            Microelectronics Reliability, is dedicated to disseminating the latest research results and related information on the reliability of microelectronic devices, circuits and systems, from materials, process and manufacturing, to design, testing and operation. The coverage of the journal includes the following topics: measurement, understanding and analysis; evaluation and prediction; modelling and simulation; methodologies and mitigation. Papers which combine reliability with other important areas of microelectronics engineering, such as design, fabrication, integration, testing, and field operation will also be welcome, and practical papers reporting case studies in the field and specific application domains are particularly encouraged.

            Most accepted papers will be published as Research Papers, describing significant advances and completed work. Papers reviewing important developing topics of general interest may be accepted for publication as Review Papers. Urgent communications of a more preliminary nature and short reports on completed practical work of current interest may be considered for publication as Research Notes. All contributions are subject to peer review by leading experts in the field.

            Microelectronics Reliability中科院分區

            中科院分區2023年12月升級版

            大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
            工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區 4區

            中科院分區2022年12月升級版

            大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
            工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區 4區

            中科院分區2021年12月舊的升級版

            大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
            工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區 4區

            中科院分區2021年12月基礎版

            大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
            工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區 4區

            中科院分區2021年12月升級版

            大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
            工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區 4區

            中科院分區2020年12月舊的升級版

            大類學科 分區 小類學科 分區 Top期刊 綜述期刊
            工程技術 4區 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:應用 4區 4區 4區

            中科院分區:中科院分區是SCI期刊分區的一種,是由中國科學院國家科學圖書館制定出來的分區。主要有兩個版本,即基礎版和升級版。2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區表推出了升級版,實現了基礎版和升級版的并存過渡;升級版是對基礎版的延續和改進,將期刊由基礎版的13個學科擴展至18個,科研評價將更加明確。

            JCR分區(2023-2024年最新版)

            按JIF指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
            學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 239 / 352
            32.2%
            學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 113 / 140
            19.6%
            學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 131 / 179
            27.1%
            按JCI指標學科分區 收錄子集 分區 排名 百分位
            學科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 272 / 354
            23.31%
            學科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 114 / 140
            18.93%
            學科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 140 / 179
            22.07%

            JCR分區:JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身為湯森路透)開發。JCR沒有設置大類,只將期刊分為176個具體學科,也就是中科院分區中的小類學科。基于不同學科的當年影響因子高低進行排序,將期刊的數量均勻分為四個部分,Q1區代表學科分類中影響因子排名前25%的期刊,以此類推,Q2區為前25%-50%期刊,Q3區為前50%-75%期刊,Q4區為75%以后期刊。

            CiteScore 指數(2024年最新版)

            • CiteScore:3.3
            • SJR:0.394
            • SNIP:0.801

            CiteScore排名:

            學科類別 分區 排名 百分位
            大類:Engineering 小類:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 83 / 207
            60%
            大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 395 / 797
            50%
            大類:Engineering 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q3 118 / 224
            47%
            大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q3 230 / 434
            47%
            大類:Engineering 小類:Surfaces, Coatings and Films Q3 74 / 132
            44%
            大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 161 / 284
            43%

            CiteScore值計算方式:例如2024公布的CiteScore是將統計在 2020年-2023年間年所發表文章的引用次數除以在 2020年-2023年間所發表的發文總數。

            CiteScore數據來源:是由全球著名學術出版商Elsevier(愛思唯爾)基于其Scopus數據庫推出的期刊評價指標。CiteScore指數以四年區間為基準來計算每本期刊的平均被引用次數,并提供期刊領域排名、期刊分區的相關信息,它的作用是測量期刊的篇均影響力。

            其它數據分析對比

            近年中科院分區趨勢圖

            近年IF值(影響因子)趨勢圖

            影響因子:是美國科學信息研究所(ISI)的期刊引證報告(JCR)中的一項數據。指的是某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率,是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。自1975年以來,每年定期發布于“期刊引證報告”(JCR)。

            發文統計(統計區間:2023年-2024年)

            文章引用名稱 引用次數
            Comphy - A compact-physics f... 25
            An improved unscented partic... 25
            Threshold voltage peculiarit... 21
            Identification of oxide defe... 16
            Controversial issues in nega... 13
            An Android mutation malware ... 13
            A review of NBTI mechanisms ... 12
            New dynamic electro-thermo-o... 12
            Measurement considerations f... 11
            Border traps and bias-temper... 10
            被引用期刊名稱 數量
            MICROELECTRON RELIAB 512
            IEEE T ELECTRON DEV 235
            J MATER SCI-MATER EL 205
            IEEE ACCESS 197
            IEEE T COMP PACK MAN 120
            IEEE T POWER ELECTR 120
            J ELECTRON MATER 103
            J ALLOY COMPD 101
            IEEE T DEVICE MAT RE 100
            ENERGIES 87
            引用期刊名稱 數量
            MICROELECTRON RELIAB 512
            IEEE T NUCL SCI 360
            IEEE T ELECTRON DEV 270
            J APPL PHYS 142
            APPL PHYS LETT 135
            IEEE T POWER ELECTR 120
            IEEE ELECTR DEVICE L 101
            IEEE T COMP PACK MAN 98
            J ELECTRON MATER 93
            IEEE T DEVICE MAT RE 88

            投稿注意事項

            文章要求:

            1、建議稿件控制10頁以上,文章撰寫語言為英語;(單欄格式,單倍行距,內容10號字體,文稿類型包含:原創研究(Original Research)、案例報告(Case Report)、文獻綜述(Literature Review)等;文件格式包含word、PDF、LaTeX等。

            2、稿件重復率控制10%以內,論文務必保證原創性、圖標、公式、引文等要素齊備,保證附屬資料的完整。已發表或引用過度的文章將不會被出版和檢索,禁止一稿多投,拒絕抄襲、機械性的稿件。

            3、稿件必須有較好的英語表達水平,有圖,有表,有公式,有數據或設計,有算法(方案,模型),實驗,仿真等;參考文獻控制25條以上,參考文獻引用一半以上控制在近5年以內。

            圖片和圖表要求:

            1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ,TIFF格式 使用LZW壓縮。

            2、文件大小最大不超過20MB,不要以單個文件的形式上傳數據。

            3、彩色圖片的分辨率≥300dpi;黑白圖片的分辨率在≥500dpi;line art圖片類型的分辨率≥1000dpi;色彩模式建議采用RGB,除非期刊注明要CMYK。

            4、線條不要細于0.25pt,也不能太粗,超過1.5pt,過細或過粗都影響美觀。

            5、表格一般和manuscrript放置在一個word文檔里部分期刊 需要單獨上傳表格。

            作者信息:

            1、包括作者姓名、最高學位,作者單位(精確到部門),郵箱,地址,郵編,關鍵詞,內容,總結,項目基金,參考文獻,作者相片+簡介(一定要確保作者信息準確無誤,提交稿件之后這部分不能再作改動)。

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