國際標準簡稱：IEEE J ELECTRON DEVI
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《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》是一本專注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領域的English學術期刊，創刊于2013年，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版，出版周期1 issue/year。該刊發文范圍涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等領域，旨在及時、準確、全面地報道國內外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領域的科學研究等工作中取得的經驗、科研成果、技術革新、學術動態等。該刊已被SCIE數據庫收錄，在中科院最新升級版分區表中，該刊分區信息為大類學科工程技術3區，2023年影響因子為2。
The IEEE Journal of the Electron Devices Society (J-EDS) is an open-access, fully electronic scientific journal publishing papers ranging from fundamental to applied research that are scientifically rigorous and relevant to electron devices. The J-EDS publishes original and significant contributions relating to the theory, modelling, design, performance, and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanodevices, optoelectronics, photovoltaics, power IC's, and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are, also, published. And, occasionally special issues with a collection of papers on particular areas in more depth and breadth are, also, published. J-EDS publishes all papers that are judged to be technically valid and original.
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 3區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 3區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 4區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 4區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 3區 | 否 | 否 |
| 大類學科 | 分區 | 小類學科 | 分區 | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術 | 3區 | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 3區 | 否 | 否 |
中科院分區：中科院分區是SCI期刊分區的一種，是由中國科學院國家科學圖書館制定出來的分區。主要有兩個版本，即基礎版和升級版。2019年中國科學院文獻情報中心期刊分區表推出了升級版，實現了基礎版和升級版的并存過渡；升級版是對基礎版的延續和改進，將期刊由基礎版的13個學科擴展至18個，科研評價將更加明確。
| 按JIF指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 202 / 352 |
42.8%
|
| 按JCI指標學科分區 | 收錄子集 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 179 / 354 |
49.58%
|
JCR分區：JCR（Journal Citation Reports）由科睿唯安公司（前身為湯森路透）開發。JCR沒有設置大類,只將期刊分為176個具體學科，也就是中科院分區中的小類學科。基于不同學科的當年影響因子高低進行排序，將期刊的數量均勻分為四個部分，Q1區代表學科分類中影響因子排名前25%的期刊，以此類推，Q2區為前25%-50%期刊，Q3區為前50%-75%期刊，Q4區為75%以后期刊。
CiteScore排名：
| 學科類別 | 分區 | 排名 | 百分位 |
| 大類：Materials Science 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 90 / 284 |
68%
|
| 大類：Materials Science 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 253 / 797 |
68%
|
| 大類：Materials Science 小類：Biotechnology | Q2 | 139 / 311 |
55%
|
CiteScore值計算方式：例如2024公布的CiteScore是將統計在 2020年-2023年間年所發表文章的引用次數除以在 2020年-2023年間所發表的發文總數。
CiteScore數據來源：是由全球著名學術出版商Elsevier（愛思唯爾）基于其Scopus數據庫推出的期刊評價指標。CiteScore指數以四年區間為基準來計算每本期刊的平均被引用次數，并提供期刊領域排名、期刊分區的相關信息，它的作用是測量期刊的篇均影響力。
近年中科院分區趨勢圖
近年IF值(影響因子)趨勢圖
影響因子：是美國科學信息研究所(ISI)的期刊引證報告(JCR)中的一項數據。指的是某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率，是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。自1975年以來，每年定期發布于“期刊引證報告”(JCR)。
| 機構名稱 | 發文量 |
| NATIONAL YANG MING CHIAO TUN... | 35 |
| INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLO... | 22 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIENCES | 20 |
| ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE... | 18 |
| NATIONAL TSING HUA UNIVERSIT... | 17 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCI... | 17 |
| NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSI... | 15 |
| SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (S... | 15 |
| SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TE... | 15 |
| PEKING UNIVERSITY | 14 |
| 國家/地區 | 發文量 |
| CHINA MAINLAND | 168 |
| USA | 99 |
| Taiwan | 98 |
| South Korea | 74 |
| Japan | 61 |
| India | 40 |
| France | 29 |
| GERMANY (FED REP GER) | 27 |
| Switzerland | 23 |
| Belgium | 20 |
| 文章引用名稱 | 引用次數 |
| FinFET Versus Gate-All-Aroun... | 21 |
| Characterization and Compact... | 19 |
| Characterization and Modelin... | 14 |
| Cryogenic Temperature Charac... | 11 |
| Hysteresis Reduction in Nega... | 11 |
| Tunneling Transistors Based ... | 11 |
| Direct Correlation of Ferroe... | 10 |
| Ferroelectric HfO2 Tunnel Ju... | 10 |
| Development and Fabrication ... | 10 |
| Experimental Investigations ... | 10 |
| 被引用期刊名稱 | 數量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 140 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 59 |
| SEMICOND SCI TECH | 36 |
| IEEE ACCESS | 29 |
| JPN J APPL PHYS | 27 |
| SOLID STATE ELECTRON | 22 |
| APPL PHYS LETT | 20 |
| MICROMACHINES-BASEL | 20 |
| J APPL PHYS | 18 |
| 引用期刊名稱 | 數量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 499 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 445 |
| APPL PHYS LETT | 311 |
| J APPL PHYS | 180 |
| SOLID STATE ELECTRON | 105 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 75 |
| JPN J APPL PHYS | 73 |
| NANO LETT | 64 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 58 |
| NATURE | 53 |
1、建議稿件控制10頁以上，文章撰寫語言為英語；（單欄格式，單倍行距，內容10號字體，文稿類型包含：原創研究(Original Research)、案例報告(Case Report)、文獻綜述(Literature Review)等；文件格式包含word、PDF、LaTeX等。
2、稿件重復率控制10%以內，論文務必保證原創性、圖標、公式、引文等要素齊備，保證附屬資料的完整。已發表或引用過度的文章將不會被出版和檢索，禁止一稿多投，拒絕抄襲、機械性的稿件。
3、稿件必須有較好的英語表達水平，有圖，有表，有公式，有數據或設計，有算法（方案，模型），實驗，仿真等；參考文獻控制25條以上，參考文獻引用一半以上控制在近5年以內。
圖片和圖表要求：1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ，TIFF格式 使用LZW壓縮。
2、文件大小最大不超過20MB，不要以單個文件的形式上傳數據。
3、彩色圖片的分辨率≥300dpi；黑白圖片的分辨率在≥500dpi；line art圖片類型的分辨率≥1000dpi；色彩模式建議采用RGB，除非期刊注明要CMYK。
4、線條不要細于0.25pt,也不能太粗，超過1.5pt,過細或過粗都影響美觀。
5、表格一般和manuscrript放置在一個word文檔里部分期刊 需要單獨上傳表格。
作者信息：1、包括作者姓名、最高學位，作者單位（精確到部門），郵箱，地址，郵編，關鍵詞，內容，總結，項目基金，參考文獻，作者相片+簡介（一定要確保作者信息準確無誤，提交稿件之后這部分不能再作改動）。
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