來源：學(xué)術(shù)之家整理 2026-04-11 18:02:51
《Ieee Transactions On Electron Devices》影響因子查詢可以通過以下幾種方法：
1.?通過期刊官網(wǎng)或數(shù)據(jù)庫查詢
期刊官網(wǎng)：訪問Ieee Transactions On Electron Devices的官方網(wǎng)站。
Journal Citation Reports (JCR)：由Clarivate Analytics發(fā)布，是專門提供期刊引證報(bào)告的工具，可通過期刊名、ISSN/EISSN號(hào)等進(jìn)行檢索，查看期刊的影響因子及分區(qū)情況。
2.?通過學(xué)術(shù)平臺(tái)或工具查詢：
知網(wǎng)：國(guó)內(nèi)研究者可以使用中國(guó)知網(wǎng)的高級(jí)檢索功能，勾選“期刊導(dǎo)航”后輸入刊名，在詳情頁查看復(fù)合影響因子、綜合影響因子等本土化指標(biāo)。
3.?通過圖書館或?qū)W術(shù)資源
中科院分區(qū)查詢：過中科院的分區(qū)查詢系統(tǒng)，輸入期刊名稱即可查看影響因子和分區(qū)。
《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版，專注于工程技術(shù)-物理：應(yīng)用領(lǐng)域研究的學(xué)術(shù)期刊，創(chuàng)刊于1954年，其ISSN為0018-9383，E-ISSN為1557-9646。該刊為Monthly，重點(diǎn)介紹在PHYSICS, APPLIED領(lǐng)域的最新關(guān)鍵主題。這些文章旨在為尚未深入研究該領(lǐng)域的讀者提供最新的、完整的主題總結(jié)，幫助他們快速了解相關(guān)領(lǐng)域的核心內(nèi)容。
該雜志已被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄，在中科院分區(qū)中，《Ieee Transactions On Electron Devices》位于大類學(xué)科：工程技術(shù)，分區(qū)為2區(qū)，小類學(xué)科：PHYSICS, APPLIED物理：應(yīng)用，分區(qū)為：2區(qū)。
而在JCR分區(qū)中，它被歸為Q2。這表明該期刊在物理：應(yīng)用領(lǐng)域具有較高的學(xué)術(shù)影響力和認(rèn)可度。
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 143 / 352 |
59.5%
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| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 68 / 179 |
62.3%
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| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 145 / 354 |
59.18%
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| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 61 / 179 |
66.2%
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JCR分區(qū)：JCR（Journal Citation Reports）由科睿唯安公司（前身為湯森路透）開發(fā)。JCR沒有設(shè)置大類,只將期刊分為176個(gè)具體學(xué)科，也就是中科院分區(qū)中的小類學(xué)科。基于不同學(xué)科的當(dāng)年影響因子高低進(jìn)行排序，將期刊的數(shù)量均勻分為四個(gè)部分，Q1區(qū)代表學(xué)科分類中影響因子排名前25%的期刊，以此類推，Q2區(qū)為前25%-50%期刊，Q3區(qū)為前50%-75%期刊，Q4區(qū)為75%以后期刊。
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