來源：學(xué)術(shù)之家整理 2026-04-11 18:02:44
《Ieee Electron Device Letters》雜志是一本專注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC(工程：電子與電氣)領(lǐng)域的English學(xué)術(shù)期刊，出版周期Monthly，平均審稿速度：預(yù)計 約1.3個月 ，以發(fā)表高質(zhì)量的綜述文章為主，旨在為讀者提供該領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展和核心概念。
《Ieee Electron Device Letters》雜志基本信息：
在中科院最新升級版分區(qū)表中，該刊分區(qū)信息為大類學(xué)科工程技術(shù)2區(qū)，在中科院最新升級版分區(qū)表中影響因子為4.1 。
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 2區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 | 2區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)：中科院分區(qū)是SCI期刊分區(qū)的一種，是由中國科學(xué)院國家科學(xué)圖書館制定出來的分區(qū)。主要有兩個版本，即基礎(chǔ)版和升級版。2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報中心期刊分區(qū)表推出了升級版，實現(xiàn)了基礎(chǔ)版和升級版的并存過渡；升級版是對基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn)，將期刊由基礎(chǔ)版的13個學(xué)科擴(kuò)展至18個，科研評價將更加明確。
近年IF值(影響因子)趨勢圖
影響因子：是美國科學(xué)信息研究所(ISI)的期刊引證報告(JCR)中的一項數(shù)據(jù)。指的是某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo)。自1975年以來，每年定期發(fā)布于“期刊引證報告”(JCR)。
《Ieee Electron Device Letters》雜志對文章質(zhì)量把控較為嚴(yán)格，而且期刊周期越短，其審核時間也相應(yīng)縮短，需要投稿的作者需合理規(guī)劃時間。本站專注期刊咨詢服務(wù)十年，確保SCI檢索，稿件信息安全保密，合乎學(xué)術(shù)規(guī)范不成功不收費(fèi)，詳情請咨詢客服。
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