來源：學(xué)術(shù)之家整理 2026-04-11 18:02:44
《Ieee Electron Device Letters》中文名稱：《IEEE 電子器件字母》，創(chuàng)刊于1980年，由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版，出版周期Monthly。
IEEE Electron Device Letters 發(fā)表與電子和離子集成電路器件和互連的理論、建模、設(shè)計(jì)、性能和可靠性有關(guān)的原創(chuàng)性和重要貢獻(xiàn)，涉及絕緣體、金屬、有機(jī)材料、微等離子體、半導(dǎo)體、量子效應(yīng)結(jié)構(gòu)、真空器件和新興材料，應(yīng)用于生物電子學(xué)、生物醫(yī)學(xué)電子學(xué)、計(jì)算、通信、顯示器、微機(jī)電學(xué)、成像、微執(zhí)行器、納米電子學(xué)、光電子學(xué)、光伏、功率集成電路和微傳感器。
旨在及時(shí)、準(zhǔn)確、全面地報(bào)道國內(nèi)外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領(lǐng)域的科學(xué)研究等工作中取得的經(jīng)驗(yàn)、科研成果、技術(shù)革新、學(xué)術(shù)動(dòng)態(tài)等。
| 機(jī)構(gòu)名稱 | 發(fā)文量 |
| CHINESE ACADEMY OF SCIE... | 84 |
| UNIVERSITY OF CALIFORNI... | 70 |
| XIDIAN UNIVERSITY | 56 |
| NATIONAL YANG MING CHIA... | 49 |
| HONG KONG UNIVERSITY OF... | 48 |
| PEKING UNIVERSITY | 42 |
| UNIVERSITY OF ELECTRONI... | 42 |
| INDIAN INSTITUTE OF TEC... | 36 |
| IMEC | 35 |
| NATIONAL SUN YAT SEN UN... | 35 |
| 國家/地區(qū) | 發(fā)文量 |
| CHINA MAINLAND | 577 |
| USA | 282 |
| South Korea | 174 |
| Taiwan | 123 |
| Japan | 65 |
| England | 60 |
| India | 49 |
| Belgium | 37 |
| GERMANY (FED REP GER) | 37 |
| France | 32 |
| 文章引用名稱 | 引用次數(shù) |
| Enhancement-Mode Ga2O3 Verti... | 38 |
| An Artificial Neuron Based o... | 36 |
| Recessed-Gate Enhancement-Mo... | 28 |
| Spin Logic Devices via Elect... | 27 |
| Current Aperture Vertical be... | 27 |
| beta-Ga2O3 Delta-Doped Field... | 26 |
| Vertical Ga2O3 Schottky Barr... | 24 |
| 1.85 kV Breakdown Voltage in... | 24 |
| Vertical Ga(2)O(3 )Schottky ... | 23 |
| First Demonstration of a Log... | 22 |
| 被引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 1587 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| JPN J APPL PHYS | 594 |
| APPL PHYS LETT | 460 |
| IEEE J ELECTRON DEVI | 445 |
| APPL PHYS EXPRESS | 366 |
| SEMICOND SCI TECH | 277 |
| J APPL PHYS | 268 |
| SOLID STATE ELECTRON | 257 |
| ECS J SOLID STATE SC | 249 |
| 引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 1317 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 865 |
| APPL PHYS LETT | 812 |
| J APPL PHYS | 318 |
| ADV MATER | 217 |
| NANO LETT | 150 |
| ACS APPL MATER INTER | 142 |
| SCI REP-UK | 138 |
| NATURE | 132 |
| APPL PHYS EXPRESS | 119 |
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